近日，Micro-LED 微显示器制造商上海显耀显示科技有限公司（Jade Bird Display，以下简称 “JBD”）宣布实现了 50 万尼特级超高亮度的 0.13 英寸红光 Micro-LED 微显示器的量产。

红光芯片点亮实拍图（图源：JBD）

JBD 的红光产品是基于其发明的混合集成半导体技术，将 AlGaInP 半导体材料与硅基 CMOS 于晶圆级集成而产生的自发光微显示器。AlGaInP 半导体材料是实现高性能红光的关键，其拥有最匹配红光的半导体禁带宽度，是行业中用于制作红光 LED 最成熟的半导体材料之一。

据称，JBD 本次推出的 0.13 英寸红光芯片中，像素尺寸仅 4 微米，Micro-LED 发光点仅 2 微米，但其可轻松加载微安级的驱动电流，产生 50 万尼特级超高亮度。相比较，基于量子点色转换的 QD-LED 及 MicroOLED 作为另外两项主流的自发光微显示技术，根据目前公开仅数千尼特的亮度水平，JBD 的红光芯片实现了数十倍的性能超越。

高倍显微镜下的像素显示效果（图源：JBD）

 红色Micro-LED像素阵列显示效果（图源：JBD）

除了超高的亮度之外，出色的显示质量和可靠性水平也是 Micro-LED 微显示器产品化的关键。 JBD 的 AlGaInP 基红光产品实现了极窄的发光谱宽，在色纯度方面表现较佳。如下图所示，该产品的光谱半波宽仅约 15nm，远低于 InGaN 基红光近 50nm 及 QD-LED 近 30nm 的典型半波宽度。

典型的AlGaInP LED电致发光光谱，半波宽~15nm（图源：JBD ）

此外，出色的显示质量离不开 CMOS 背板与 LED 的紧密配合。在 JBD 的专利 IC 背板技术加持之下，红光产品实现了>95%的像素级显示均匀性、>100000:1 的超高对比度、以及<1%的相邻像素间串扰。AlGaInP 材料的稳定性及优异的芯片级封装技术保障了该红光产品优异的可靠性，标准的寿命测试的结果证明该产品可达数万小时使用寿命。